特許
J-GLOBAL ID：201003045924117974
フォトマスクの製造方法、パターン転写方法、フォトマスク基板用処理装置、及び薄膜パターニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-000363
公開番号（公開出願番号）：特開2010-181872
出願日： 2010年01月05日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】描画時にレジストに再入射する不要なエネルギーによる露光の影響をなくし、ハーフピッチ45nm、32nm等の超微細パターンを転写するためのフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、薄膜と、レジスト膜とを形成したフォトマスクブランクを用意し、該フォトマスクブランクのレジスト膜上に描画機を用いて所望の転写パターンを描画し、描画後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンをマスクとして、薄膜をエッチングすることを含むフォトマスクの製造方法において、上記描画後であって、レジスト膜の現像の前に、レジスト膜の表面に、酸素、又は酸素と水素からなる酸化物質を接触させる表面処理を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、薄膜と、レジスト膜とを形成したフォトマスクブランクを用意し、
該フォトマスクブランクのレジスト膜上に描画機を用いて所望の転写パターンを描画し、描画後、該レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパターンをマスクとして、前記薄膜をエッチングすることを含むフォトマスクの製造方法において、
前記描画後であって、レジスト膜の現像の前に、該レジスト膜の表面に、酸素、又は酸素と水素からなる酸化物質を接触させる表面処理を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 568
2H095BA01
, 2H095BB12
, 2H095BB14
, 2H095BB31
, 5F046LA18
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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