特許

J-GLOBAL ID：201003054383701928

半導体装置

発明者： 林 哲也 ,  星 正勝 ,  田中 秀明 ,  山上 滋春 ,  鈴木 達広
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050998
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206012
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能で、かつ、高密度化が容易な電力用半導体装置を提供する。【解決手段】ユニポーラ動作と同等の動作をする還流ダイオードと、還流ダイオードに並列接続されたキャパシタ210及び抵抗220を有する半導体回路200とを備え、半導体回路200は、抵抗220の少なくとも一部として機能する半導体基体11と、半導体基体11をキャパシタ210の一方の電極とし、半導体基体11の一主面上の所定エリアに、所定エリアの面積よりも大きい表面積を有して設けられた誘電体領域12とを備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、 前記還流ダイオードに並列接続されたキャパシタ及び抵抗を有する半導体回路とを備え、 前記半導体回路は、 前記抵抗の少なくとも一部として機能する半導体基体と、 前記半導体基体の一主面上の所定エリアに、前記所定エリアの面積よりも大きい表面積を有して設けられた前記キャパシタの少なくとも一部として機能する誘電体領域 とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (17件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H02M 1/34 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (17件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/48 F ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 R ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H02M1/34 ,  H01L29/91 L ,  H01L29/91 H ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/80 C ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 P ,  H01L29/78 657Z

Fターム (49件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG14 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC10 ,  5F038AC12 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AR01 ,  5F038AR09 ,  5F038AR14 ,  5F038BE07 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH15 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB07 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB10 ,  5H740MM03

引用特許：

審査官引用 (14件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-067118   出願人：株式会社東芝
• 炭化珪素半導体からなる半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-096435   出願人：三菱電機株式会社
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-200584   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-312544   出願人：関西電力株式会社
• 特開平2-023646
  
• 特開昭61-107756
  
• 特開昭61-212060
  
• 特開昭61-144865
  
• 可変容量半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277082   出願人：三洋電機株式会社
• 低容量ESD耐性ダイオードの方法および構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-062095   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-281198   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-281158   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315691   出願人：富士電機株式会社
• 絶縁ゲート型トランジスタ及びインバータ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-115077   出願人：三菱電機株式会社