特許
J-GLOBAL ID：201003057555568175
半導体パッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-199247
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272895
出願日： 2010年09月06日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
【課題】外部接続端子或いは半導体素子搭載用端子を、鉛の使用量を低減した端子で構成し環境問題の改善を図ると共に、端子の微細ピッチ化を達成する。【解決手段】支持体40表面の凹部44に金属層16を形成して絶縁樹脂22で覆い、金属層が露出するビア孔46に導体ビア26を形成し、絶縁樹脂層22及び配線層24を積層し、最上面に半導体素子搭載用端子18を形成した後、支持体40を除去することで、最下面に金属層16で覆われた外部接続端子としてのバンプ12を露出させる。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体パッケージの製造方法であって、
支持体の表面に凹部を形成する工程と、
該凹部の内部表面に金属層を形成する工程と、
該金属層を形成した前記凹部の内部及び前記支持体の表面を絶縁樹脂で覆う工程と、
前記凹部内の絶縁樹脂に、前記金属層が露出するビア孔を形成する工程と、
該ビア孔に導体ビアを形成する工程と、
前記絶縁樹脂の上に1層ないし多層の絶縁樹脂層及び配線層を、該配線層が前記導体ビアに電気的に接続するように、形成する工程と、
最上面の絶縁樹脂層上に、前記配線層を介して前記金属層に接続する端子を形成する工程と、
前記支持体を除去し、該パッケージの最下面に、内部は該最下面を形成する絶縁樹脂層の樹脂で充填され且つ表面は金属層で覆われたバンプを露出させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L23/12 F
, H01L23/12 Q
, H01L23/12 501T
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (12件)
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