特許
J-GLOBAL ID：201003059419641228

磁性体メモリ

発明者：
瀬戸川 潤

瀬戸川 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294561
公開番号（公開出願番号）：特開2010-033620
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込の信頼性を確保する。【解決手段】メモリセルへのデータ書込後、外部からの書込データとメモリセルの読出データの論理の一致/不一致を判定する(ステップS3)。この書込データとメモリセルの記憶データの論理値が不一致の場合、再度、書込対象のメモリセルへデータを書込む(ステップS4)。この後、再び、書込対象のメモリセルの記憶データを読出し、書込データと読出データの一致/不一致を判定する。この動作を、書込データおよび読出データが一致するまで繰返す。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
行列状に配列され、各々が可変磁気抵抗素子を含み、前記可変磁気抵抗素子の抵抗値によりデータを記憶する複数のメモリセル、 書込データに従って、前記複数のメモリセルのうちの書込対象のメモリセルに前記書込データを書込む書込系回路、および 前記書込データの書込後に前記書込対象のメモリセルの記憶データと前記書込データとを比較し、該比較結果に従って前記書込系回路に前記書込対象のメモリセルに対して選択的に書込を実行させる書込制御回路を備え、前記書込対象のメモリセルは、再書込されるときは、書込前と同じ初期状態から再書込される、磁性体メモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (17件)：
4M119BB01 ,  4M119CC04 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  4M119HH07 ,  4M119HH17 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BC04 ,  5F092BC08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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