特許
J-GLOBAL ID：201003067251786406

半導体装置の製造方法

発明者：
島 昌司

島 昌司 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-068233
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225636
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】 製造工程を簡略化しつつ、特性の優れた第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタとを製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に、第1のMOSトランジスタ領域、第2のMOSトランジスタ領域を画定する素子分離領域を形成し、第1のMOSトランジスタ領域、第2のMOSトランジスタ領域に第1導電型の不純物をイオン注入し、第1導電型のウェルを形成し、第1のMOSトランジスタ領域、第2のMOSトランジスタ領域上に絶縁ゲート電極を形成し、第2のMOSトランジスタのドレイン領域を覆うマスクを介して、半導体基板法線方向から傾いた複数方向から第1導電型の不純物をイオン注入し、第1のMOSトランジスタ領域の前記絶縁ゲート電極下方に対称的なチャネルドーズ領域、第2のMOSトランジスタ領域の前記絶縁ゲート電極下方に非対称なチャネルドーズ領域を形成し、半導体装置を製造する。【選択図】 図1-1
請求項（抜粋）：
半導体基板に、第1のMOSトランジスタ領域、前記第1のMOSトランジスタよりも高い耐圧を有する第2のMOSトランジスタ領域を画定する素子分離領域を形成する工程と、 前記第1のMOSトランジスタ領域、および第2のMOSトランジスタ領域に第1導電型の第1不純物をイオン注入する工程と、 前記第1のMOSトランジスタ領域上に第1ゲート絶縁膜および第1ゲート電極を、前記第2のMOSトランジスタ領域上に第2ゲート絶縁膜および第2ゲート電極を形成する工程と、 前記第2のMOSトランジスタのドレイン領域を覆い、前記第2のMOSトランジスタのソース領域、および前記第1のMOSトランジスタのソース領域とドレイン領域を露出する第1マスク層を形成する工程と、 前記第1マスク層、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極をマスクとして、前記半導体基板の法線方向から傾いた複数方向から、前記半導体基板に前記第1導電型の第2不純物をイオン注入する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L27/08 102B ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321E
Fターム (74件)：
5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB18 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BB12 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BC07 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE14 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH35 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (11件)
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