特許
J-GLOBAL ID：201003067910094460

半導体装置の製造方法

発明者：
松野 吉徳

松野 吉徳 について

, 
油谷 直毅

油谷 直毅 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-291741
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118573
出願日： 2008年11月14日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【課題】ダイシング工程のスループットを向上させるとともに、ダイシングブレードの長寿命化にも寄与する、SiC基板を用いた半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】ダイシング工程を行う前に、SiCウエハ(高濃度n型基板1及び低濃度n型エピタキシャル層2)の表面にショットキ電極5及び表面開口ダイシングライン領域7を形成し、SiCウエハの裏面にオーミック電極4及び裏面開口ダイシングライン領域8を形成する工程を実行する。これら表面開口ダイシングライン領域7及び裏面開口ダイシングライン領域8は共に所定のダイシングラインを含んでいる。その後、ブレードを用いたダイシング工程により、SiCウエハを所定のダイシングラインで分割して複数の半導体チップを得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a) SiCを構成材料とする半導体基板の第1主面上に第1の電極を形成するとともに、所定のダイシングラインを少なくとも含む領域に、前記半導体基板の第1主面が露出した第1主面開口ダイシングライン領域を形成するステップと、 (b) 前記半導体基板の第2主面上に合金材料からなる第2の電極を形成し、前記第2の電極上に金属層を形成するとともに、前記所定のダイシングラインを少なくとも含む領域に、前記半導体基板の第2主面が露出した第2主面開口ダイシングライン領域を形成するステップと、 (c) 前記ステップ(a) 及び(b) 後に行われ、ブレードを用いたダイシング工程により、前記半導体基板を前記所定のダイシングラインで分割して複数の半導体チップを得るステップとを備える、 半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L21/78 Q ,  H01L29/44 L ,  H01L29/44 P ,  H01L29/48 D ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 L
Fターム (11件)：
4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104DD62 ,  4M104DD68 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM