特許
J-GLOBAL ID：201003075375273175

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

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金生 剛

金生 剛 について

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大橋 正樹

大橋 正樹 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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飯尾 匡史

飯尾 匡史 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-227765
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060953
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1-1)〜(1-3)で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位のいずれか1種以上を有する高分子化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。(式中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Xは単結合又はメチレン基を示す。Yは水酸基又はヒドロキシメチル基を示す。mは0、1又は2である。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1-1)〜(1-3)で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位のいずれか1種以上を有する高分子化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/26
FI (6件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/26
Fターム (33件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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