特許
J-GLOBAL ID：200903049194567370

パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

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片山 和弘

片山 和弘 について

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吉原 隆夫

吉原 隆夫 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-158466
公開番号（公開出願番号）：特開2009-300978
出願日： 2008年06月17日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】1回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位、アダマンタンに結合する1級のヒドロキシ基を有する繰り返し単位、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体を含有する第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに波長200nm以下の高エネルギー線の照射処理、及び加熱処理の少なくとも一方を施すことによって架橋硬化させる工程と、前記第1のレジストパターン上に第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第2のレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、ナフトールを有する繰り返し単位と、アダマンタンに結合する1級のヒドロキシ基を有する繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、 前記第1のレジスト膜を高エネルギー線で露光した後、現像液を用いて前記第1のレジスト膜を現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、 前記第1のレジストパターンに波長200nm以下の高エネルギー線の照射処理、及び加熱処理の少なくとも一方を施すことによって架橋硬化させる工程と、 前記基板上の前記第1のレジストパターン上に第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、 前記第2のレジスト膜を高エネルギー線で露光した後、現像液を用いて前記第2のレジスト膜を現像して第2のレジストパターンを形成する工程と、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26
FI (5件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26
Fターム (40件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA01 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  4J100AD07S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC49S ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (5件)
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