化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-260706
公開番号（公開出願番号）：特開2010-170094
出願日： 2009年11月16日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】本発明は、リソグラフィーにおいて、膜厚を10〜100nmとした場合の化学増幅レジスト膜の薄膜化によるLERの悪化を抑制しつつ、高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供することもある。【解決手段】リソグラフィーで用いられる化学増幅レジスト膜を形成するための化学増幅ポジ型レジスト組成物であって、少なくとも、(A)3級アルキル基によってフェノール性水酸基が保護された繰り返し単位を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、前記3級アルキル基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、(B)酸発生剤、(C)塩基性成分(D)有機溶剤、を含有し、回転塗布によって10〜100nmの膜厚を有する前記化学増幅レジスト膜が得られるように固形分濃度を調整したものであることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リソグラフィーで用いられる化学増幅レジスト膜を形成するための化学増幅ポジ型レジスト組成物であって、該化学増幅ポジ型レジスト組成物は、少なくとも、 (A)3級アルキル基によってフェノール性水酸基が保護された繰り返し単位を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、前記3級アルキル基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、 (B)酸発生剤、 (C)塩基性成分 (D)有機溶剤を含有し、回転塗布によって10〜100nmの膜厚を有する前記化学増幅レジスト膜が得られるように固形分濃度を調整したものであることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 12/08

FI (5件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R , C08F12/08

Fターム (46件)：

2H125AF18P , 2H125AF29P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF70P , 2H125AH05 , 2H125AH11 , 2H125AJ04X , 2H125AJ42X , 2H125AJ48X , 2H125AL02 , 2H125AL11 , 2H125AM66P , 2H125AM99P , 2H125AN02P , 2H125AN11P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN51P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125AN82P , 2H125AN86P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA08 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CD20P , 2H125CD31 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AR09R , 4J100BA03P , 4J100BA04Q , 4J100BC03Q , 4J100BC07Q , 4J100BC08Q , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA61 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (9件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-080050 出願人：JSR株式会社
高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-151308 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-190444 出願人：JSR株式会社

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