特許
J-GLOBAL ID:201103003028913861

薄膜コンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-271987
公開番号(公開出願番号):特開2011-114312
出願日: 2009年11月30日
公開日(公表日): 2011年06月09日
要約:
【課題】内部でのクラックや剥離の発生が抑制された薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ100では、Niを主成分とする内部電極3,5,7,9が積層方向に貫通する貫通孔Hを有すると共に、この貫通孔Hの少なくとも一部の面積が0.19〜7.0μm2であって、且つ主面に対する貫通孔Hの面積の割合が0.05〜5%の範囲である内部電極3,5,7,9の主面全体の面積に対する貫通孔Hの面積が上記の範囲であることによって、内部電極3,5,7,9と誘電体層2,4,6,8,10との界面での剥離やクラックの発生が抑制され、この結果、歩留まりが向上される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
下地電極と、 前記下地電極上に積層された二つ以上の誘電体層と、 前記誘電体層の間に積層されNiを主成分とする電極と、 を備える薄膜コンデンサであって、 前記電極は積層方向に貫通する貫通孔を有し、 少なくとも一部の前記貫通孔の面積は、0.19〜7.0μm2であり、 前記貫通孔を含む前記内部電極の主面全体の面積に対する前記貫通孔の面積の割合は0.05〜5%である ことを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (5件):
H01G4/12 394 ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/30 301F ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/12 352
Fターム (28件):
5E001AB06 ,  5E001AC05 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AG01 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC35 ,  5E082BC39 ,  5E082CC03 ,  5E082CC13 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ30
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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