発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鮫島睦 , 田村恭生 , 田村啓 , 石井久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353833
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237457
特許番号：特許第4032636号
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n型半導体層とp型半導体層の間に活性層が形成された発光素子であって、前記活性層は、Inを含むInx1Ga1-x1N(x1>0)からなる井戸層と、前記井戸層上に形成されるAlを含むAly2Ga1-y2N(y2≧0.30)からなる第1障壁層と、Inx3Aly3Ga1-x3-y3N(0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.1、x3+y3≦0.3)からなる第2障壁層とを含み、前記第2障壁層、前記井戸層、前記第1障壁層とがこの順に繰り返し形成された多重量子井戸構造であり、前記井戸層のIn混晶比x1が、0.6以上であり、前記井戸層は前記第2障壁層上に形成されたことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：