特許
J-GLOBAL ID：201103006179120676
メサ型フォトダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
速水 進治
, 野本 可奈
, 天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-178985
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035114
出願日： 2009年07月31日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。【解決手段】メサ(受光領域メサ19)の側面23と、メサの上面24における少なくとも当該メサの肩の部分(肩部25)とは、それらの上に成長された第1導電型、第2導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層(例えば、ノンドープInP層17)により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面23を覆う部分の層厚D1が850nm以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1導電型の半導体からなるバッファ層と、第1導電型、第2導電型ないしノンドープの半導体からなるエッチング停止層と、第1導電型、第2導電型、ないしノンドープの半導体からなる光吸収層と、第2導電型の半導体層と、がこの順に積層成長されることによって構成された積層構造を有し、
前記第2導電型の半導体層及び前記光吸収層がメサを構成し、
前記メサの側面と、前記メサの上面における少なくとも当該メサの肩の部分とは、それらの上に成長された第1導電型、第2導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層により連続的に被覆され、
前記メサは前記半導体層を介して誘電体保護膜により被覆され、
前記半導体層において前記メサの側面を覆う部分の層厚D1が850nm以上であることを特徴とするメサ型フォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L31/10 B
5F049MA04
, 5F049MA07
, 5F049MB07
, 5F049NA20
, 5F049PA01
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049QA20
, 5F049SS04
, 5F049SZ12
