半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260864
特許番号：特許第3691982号
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の主面側の配線層に配線を形成するとともに配線間の領域に互いに異なる材料で形成された第1の絶縁膜及び空洞形成用材料膜を形成する工程と、前記配線、第1の絶縁膜及び空洞形成用材料膜が形成された配線層上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を形成した後に前記空洞形成用材料膜を選択的に除去して空洞領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：