特許
J-GLOBAL ID：201103011682555632
強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 下山 治
, 永川 行光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297089
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118941
特許番号：特許第4459335号
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成した電界効果型トランジスタのゲート部として、絶縁性薄膜、第一導電体薄膜、強誘電体薄膜、第二導電体薄膜を順次積層した構造を持つ強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、
ソース領域およびドレイン領域を覆うシリコン酸化膜の内縁と前記絶縁性薄膜の外縁とが接合し、かつ前記第一導電体薄膜のチャネル長方向の長さが前記絶縁性薄膜より長く、前記第一導電体薄膜の端面が前記絶縁性薄膜の端面と接触しないように配置され、
前記シリコン酸化膜として、前記絶縁性薄膜より膜厚が厚い熱酸化膜が用いられ、
前記シリコン酸化膜は、前記絶縁性薄膜をマスクとして用いて前記半導体基板を熱酸化させることにより、前記シリコン酸化膜の内縁が前記絶縁性薄膜の外縁により規定されるように形成され、
前記第一導電体薄膜が前記シリコン酸化膜の上面及び前記絶縁性薄膜の上面に沿うように形成されている
ことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 444 A
