特許
J-GLOBAL ID：201103012412444789

半導体装置の製造方法

発明者：
伊東 豊二

伊東 豊二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015699
特許番号：特許第3937657号
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 集積回路が作り込まれた主面が絶縁性の基板上に強誘電体または高誘電率を有する誘電体からなる容量絶縁膜を含む容量素子を形成する工程と、 前記基板及び前記容量素子上に層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上に少なくともアルミ-シリコン-銅合金、またはアルミ-銅合金、またはアルミを含み、窒化チタンを最上層とする金属配線を形成する工程と、 前記層間絶縁膜及び前記金属配線上に300nm以上の水素を含有する窒化シリコン膜を形成し、その後熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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