特許
J-GLOBAL ID：201103014431722830
パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031438
公開番号（公開出願番号）：特開2011-191753
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード(EL)が広く、また線幅バラツキ(LWR)が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、(A)樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表される酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び、(D)溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式(I)中、Aは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び、
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、
(A)樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により、下記一般式(I)で表される酸を発生する化合物、
(C)架橋剤、及び、
(D)溶剤、
を含有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (13件)：
G03F 7/004
, G03F 7/038
, G03F 7/039
, G03F 7/32
, C07C 309/17
, C07C 309/19
, C07C 309/12
, C07C 309/24
, C07C 309/30
, C07C 381/12
, C09K 3/00
, C08F 2/48
, H01L 21/027
G03F7/004 503A
, G03F7/038 601
, G03F7/039 601
, G03F7/32
, C07C309/17
, C07C309/19
, C07C309/12
, C07C309/24
, C07C309/30
, C07C381/12
, C09K3/00 K
, C08F2/48
, H01L21/30 502R
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096EA05
, 2H096FA01
, 2H096GA03
, 2H096HA01
, 2H125AE02P
, 2H125AE04P
, 2H125AE05P
, 2H125AE06P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH12
, 2H125AH14
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH24
, 2H125AH25
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ16Y
, 2H125AJ58X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ92Y
, 2H125AM10P
, 2H125AM22P
, 2H125AM23P
, 2H125AM25P
, 2H125AM27P
, 2H125AM30P
, 2H125AM32P
, 2H125AM86P
, 2H125AM94P
, 2H125AM99P
, 2H125AN11P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA22P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC11
, 2H125CC15
, 2H125FA05
, 4H006AA03
, 4H006AB81
, 4H006BA95
, 4J011SA83
, 4J011SA87
