トンネル磁気抵抗効果素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：皿田秀夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036164
特許番号：特許第3331397号
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネルバリア層の表裏2つの表面における各々の表面状態は、その表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが1nm以下、最大高さRmaxが10nm以下、標準偏差粗さRrmsが1.2nm以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：