特許
J-GLOBAL ID：201103022850766263
半導体製造装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313727
特許番号：特許第4669605号
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンウェハに処理を施す処理室を具備する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記処理室内を、ハロゲン系ガス雰囲気下で熱処理した後、還元性ガス雰囲気下で熱処理し、次いで酸化性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
, H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
, H01L 21/302 201 A
, H01L 21/31 B
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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