窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志 , 田畑昌男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077476
特許番号：特許第4282173号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒素及びガリウムを主成分とする窒素化合物半導体を基板材料とする窒素化合物半導体基板上に、窒素化合物半導体を構成材料とする発光素子を形成してなる窒素化合物半導体発光素子において、前記窒素化合物半導体基板は、不純物として第VII族に属する元素を含有し、前記窒素化合物半導体基板が20μm以上の厚さを有し、前記窒素化合物半導体基板の含有する第VII族元素の濃度が、該窒素化合物半導体基板の発光素子を積層する面から2μm以下の深さの領域で、該窒素化合物半導体基板の他の領域に比べて増加している、ことを特徴とする窒素化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：