半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317455
特許番号：特許第3504175号
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の一主面側に形成された銅(Cu)膜配線と、該銅(Cu)膜配線に接触して形成されたバリヤメタルと、該バリヤメタルに接触して形成されたプラグとを有する構造を備えた半導体装置において、前記バリヤメタルはルテニウム(Ru)膜であり、前記プラグはルテニウム(Ru)膜であり、前記銅(Cu)膜配線と前記プラグの少なくとも一方には物理蒸着(PVD)を用いて形成された層が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：