特許
J-GLOBAL ID：201103029860031185

多層半導体装置用アンダーフィル材のダム材組成物、及び該ダム材組成物を用いた多層半導体装置の製造方法

発明者：
隅田 和昌

隅田 和昌 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-122938
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014885
出願日： 2010年05月28日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】FC実装、TSV接続等により製造される多層構造を有する半導体装置を封止する際、基板上に高アスペクト比で成型塗布することが可能で、アンダーフィル材を基板からはみ出させることなく素子間等の隙間に完全に侵入させることができ、アンダーフィル材に対する密着力も高く、且つ強靭な硬化物を形成できるダム材組成物等を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂:100質量部、(B)硬化剤:1〜50質量部、(C)平均粒径が0.1〜10μmで且つ最大粒径が75μm以下の無機充填剤:30〜1,000質量部、(D)平均粒径が0.005μm以上0.1μm未満の表面がシリル化処理されたシリカ:1〜20質量部を含むことを特徴とする多層半導体装置用のアンダーフィル材のダム材組成物等。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
下記成分 (A)エポキシ樹脂: 100質量部、 (B)硬化剤: 1〜50質量部、 (C)平均粒径が0.1〜10μm、かつ最大粒径が75μm以下の無機充填剤: 30〜1,000質量部、 (D)平均粒径が0.005μm以上0.1μm未満の表面がシリル化処理されたシリカ: 1〜20質量部 を含むことを特徴とする多層半導体装置用アンダーフィル材のダム材組成物。
IPC (3件)：
H01L 23/28 ,  C08L 63/00 ,  C08K 9/06
FI (3件)：
H01L23/28 C ,  C08L63/00 C ,  C08K9/06
Fターム (27件)：
4J002CD001 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD131 ,  4J002DE017 ,  4J002DE077 ,  4J002DE147 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ017 ,  4J002DJ018 ,  4J002DK007 ,  4J002EN076 ,  4J002EV086 ,  4J002EV216 ,  4J002FB098 ,  4J002FD017 ,  4J002FD018 ,  4J002FD146 ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA06 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB13 ,  4M109EB15 ,  4M109EB16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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