プラズマ処理方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044359
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243707
特許番号：特許第3417328号
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極に1つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：