半導体装置の製造方法及びスパッタリング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051872
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252232
特許番号：特許第3379464号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板上に導電層が形成されたウェハをロードロックチャンバ内に挿入した後、前記ロードロックチャンバを真空排気し、その後、このロードロックチャンバ内に不活性ガスを導入して前記ウェハを前記ロードロックチャンバ内に保持した状態で前記ロードロックチャンバ内の気体をパージする工程と、前記ロードロックチャンバを真空排気した後、前記ウェハをスパッタリングチャンバに移し、室温よりも高温の状態でシリコン基板上に高融点金属をスパッタリングして高融点金属膜を形成する工程と、熱処理により前記導電層と前記高融点金属膜とを反応させて高融点金属シリサイド層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：