特許
J-GLOBAL ID:201103034676833450
枚葉式処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
絹谷 信雄
, 金坂 憲幸
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-190594
公開番号(公開出願番号):特開2002-009079
特許番号:特許第4680350号
出願日: 2000年06月26日
公開日(公表日): 2002年01月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 処理容器内の載置台上に被処理体を載置して所定の処理を施す枚葉式処理装置において、前記載置台は抵抗発熱体を内蔵したセラミック製のヒータ部とこのヒータ部を支持するセラミック製の支柱部とを有し、この支柱部の下端に鍔部を形成し、この鍔部に押え部材を設け、この押え部材を前記処理容器の底部の内側に当接させ、この押え部材を処理容器の底部の外側から取付具により着脱可能に固定してなり、前記押え部材が前記鍔部を上下から挟み込んで押える上部押え部材および下部押え部材からなることを特徴とする枚葉式処理装置。
IPC (9件):
H01L 21/324 ( 200 6.01)
, C23C 14/50 ( 200 6.01)
, C23C 16/458 ( 200 6.01)
, F27D 3/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/22 ( 200 6.01)
, H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H05B 3/62 ( 200 6.01)
FI (10件):
H01L 21/324 K
, H01L 21/324 Q
, C23C 14/50 Z
, C23C 16/458
, F27D 3/12 E
, H01L 21/205
, H01L 21/22 511 A
, H01L 21/302
, H01L 21/31 B
, H05B 3/62
引用特許:
審査官引用 (10件)
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成膜処理方法及び成膜処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-148343
出願人:東京エレクトロン株式会社
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半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-209449
出願人:日本碍子株式会社
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-163081
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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熱処理装置及びその運転方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-235854
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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半導体製造装置の反応炉
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-117526
出願人:国際電気株式会社
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-207138
出願人:東京エレクトロン東北株式会社
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縦型熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-264905
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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高温抵抗式ヒーター
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-297648
出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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特開平3-285896
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静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-289078
出願人:日本真空技術株式会社
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