特許
J-GLOBAL ID：201103034695524582
シリコン・オン・インシュレータ構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243944
特許番号：特許第3630401号
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】酸化物が埋め込まれていない領域を有する平面状シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造を製造する方法であって、(a)シリコン・ウェハと、前記シリコン・ウェハの上に前記シリコン・ウェハに接触して形成された酸化物層と、前記酸化物層の上に前記酸化物層に接触して形成されたシリコン層と、前記シリコン層よりも上の最表面に形成された窒化シリコン層と、を含む基板を形成する段階と、(b)前記基板内に、前記基板の上面から前記シリコン・ウェハまで延び、側壁シリコン部分を含む側壁と底面とを有するトレンチを形成する段階と、(c)前記トレンチの底面上および前記側壁シリコン部分を覆うように酸化物層を形成し、これによりトレンチ底面酸化物層とトレンチ側壁酸化物層を形成する段階と、(d)前記トレンチの側壁に、前記トレンチ側壁酸化物層上に延び前記トレンチ底面酸化物層の一部分と重なる、窒化シリコンからなる保護側壁を形成する段階と、(e)前記保護側壁の下にない前記トレンチ底面酸化物層をすべて除去する段階と、(f)前記トレンチ内に前記トレンチの底面から少なくとも前記上面までシリコンをエピタキシャル成長させる段階と、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 L
, H01L 21/205
