特許
J-GLOBAL ID：201103037363724595

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-205011
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086921
出願日： 2010年09月14日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、低消費電力の半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。【解決手段】半導体装置において、ゲート電極層(ゲート配線層)と、ソース電極層又はドレイン電極層と電気的に接続する配線層とは、薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層及びゲート絶縁層を間に介して交差する構造とする。ゲート電極層、ゲート絶縁層、及びソース電極層又はドレイン電極層の積層構造によって形成される寄生容量を低減することができ、半導体装置の低消費電力化を実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層と、 前記酸化物絶縁層上に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する配線層とを有し、 前記酸化物絶縁層には前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口が設けられ、 前記配線層は、前記開口において前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と接し、 前記ゲート電極層と前記配線層とは前記ゲート絶縁層及び前記酸化物半導体層を介して一部重なることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/306 ,  G09F 9/30
FI (15件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 R ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/316 X ,  H01L21/363 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/306 B ,  G09F9/30 338
Fターム (191件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA32 ,  5C094AA36 ,  5C094AA37 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F004EB04 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK35 ,  5F033KK38 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP17 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F043AA08 ,  5F043BB12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA02 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL09 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110HM17 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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