特許
J-GLOBAL ID：201103042756434800
半導体を熱処理する炉及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007036
特許番号：特許第3913404号
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハを熱処理する炉において、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁を設け、前記隔壁の内側と外側にガスを流す構成にし、前記隔壁は、内筒管として形成されていて、その内筒管の上端が封じられており、ガス用の孔が、ウェーハ載置部の上端近傍部分と下端近傍部分に対応する内筒管の部分のみに設けられており、しかも、炉芯管の上方に設けられているガス供給管の先端から炉芯管内へ流入したガスを、隔壁の内側と外側を別々のルートで流下させて、ウェーハ載置部の下端付近で合流させて、さらに下方に流していき、排出管の排出口から流出させる構成とし、かつ、隔壁の内側のガス流速を隔壁の外側の流速より遅くする構成にしたことを特徴とする半導体熱処理炉。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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気相成長用炉芯管
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-346865
出願人：東芝セラミックス株式会社
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特開平1-305515
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処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-023080
出願人：株式会社日立製作所
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審査官引用 (9件)
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