特許
J-GLOBAL ID：201103043346341461

相補型p、及びnMOSFETトランジスタの製造方法、このトランジスタを包含する電子デバイス、及び少なくとも1つのこのデバイスを包含するプロセッサ

発明者：
ラリウ,ギレム

ラリウ,ギレム について

, 
デュボワ,エマニュエル

デュボワ,エマニュエル について


出願人/特許権者：
サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス)

サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス) について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  水谷 好男 ,  森 啓 ,  遠藤 力
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-503484
公開番号（公開出願番号）：特表2011-519152
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
ゲート電極(14、28)によって制御されるチャネル(20、34)によって接続される金属ショットキーのソース電極(10、24)、及びドレイン電極(12、26)を有する相補型p、及びnMOSFETトランジスタ(3、4)を製造する方法であって、p、及びnトランジスタの双方のための単一のシリサイドからソース電極、及びドレイン電極を製造することと、相補型nトランジスタ(4)をマスクして、シリサイドと、pトランジスタのチャネル(20)との間の界面(22)における周期表のII族、及びIII族からの第1の不純物(21)を偏析することと、相補型pトランジスタ(3)をマスクして、シリサイドと、nトランジスタのチャネル(34)との間の界面(36)における周期表のV族、及びVI族からの第2の不純物(35)を偏析することと、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板(6)上に配列され、かつゲート電極(14、28)によって制御されるチャネル(20、34)によって接続される金属ショットキーのソース電極(10、24)、及びドレイン電極(12、26)をそれぞれが有する相補型p、及びnMOSFETトランジスタ(3、4)を製造する方法であって、 固体シリコン、SOI、及びSONの基板から構成されるグループから、前記基板(6)を選択することと、 前記半導体基板(6)上に配置される前記pトランジスタ、及び前記nトランジスタの双方(3、4)のための単一のシリサイドから前記ソース電極(10、24)、及び前記ドレイン電極(12、26)を製造することと、 前記pトランジスタ(3)のソース電極(10)、及びドレイン電極(12)を製造するために、前記相補型nトランジスタ(4)をマスクして、前記シリサイドと、前記pトランジスタのチャネル(20)との間の界面(22)における周期表のII族、及びIII族からの第1の不純物(21)を偏析することと、 前記nトランジスタ(4)のソース電極(24)、及びドレイン電極(26)を製造するために、前記相補型pトランジスタ(3)をマスクして、前記シリサイドと、前記nトランジスタのチャネル(34)との間の界面(36)における周期表のV族、及びVI族からの第2の不純物(35)を偏析することと、 を有し、前記第1の不純物、及び前記第2の不純物(21、35)の偏析は、シリサイドへの注入、金属への注入、及びシリサイド前の注入から構成されるクループの中の注入によって実行され、 前記第1の不純物、及び前記第2の不純物(21、35)は、シリサイドへの注入の場合は、700°C未満の温度でのアニーリングにより活性化によって、前記シリサイドと、前記チャネル(20、34)との間の前記界面(22、36)で偏析され、金属への注入、又はシリサイド前の注入の場合は、前記単一のシリサイドを形成する間に偏析される、 ことを特徴とする方法。
IPC (9件)：
H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78
FI (10件)：
H01L27/08 321F ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/48 M ,  H01L29/78 301S
Fターム (95件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104DD92 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048DA23 ,  5F110AA03 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HK50 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BG14 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH13 ,  5F140BH21 ,  5F140BH42 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK32 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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