特許
J-GLOBAL ID：201103048626376505

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
谷岡 寿一

谷岡 寿一 について

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古橋 壮之

古橋 壮之 について

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渡辺 友勝

渡辺 友勝 について

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中尾 之泰

中尾 之泰 について

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今泉 昌之

今泉 昌之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-006950
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146580
出願日： 2010年01月15日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】 絶縁膜/炭化珪素界面の窒化処理においてNOガスもしくはN2Oガスを高温の反応炉内に導入すると、これらのガスが熱分解し、この熱分解時に発生する酸素による再酸化によって新たな界面準位が発生するため、低減できる界面準位密度が抑制される問題があった。【解決手段】 本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスを混合した酸化窒素系ガス雰囲気中で熱処理することにより前記炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、 を備える炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/265
FI (7件)：
H01L21/318 A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/265 602A ,  H01L29/78 301B
Fターム (11件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF56 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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