特許
J-GLOBAL ID：201103051850711418

半導体装置およびその製造方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294633
特許番号：特許第4207303号
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】キセロゲル膜からなる第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成した第1の有機絶縁膜と、 前記第1の有機絶縁膜上に形成したものでキセロゲルからなる第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に形成した第2の有機絶縁膜と、 前記第2の有機絶縁膜上に形成した無機膜を備え、 前記無機膜から第2の絶縁膜にわたって配線溝が形成され、 前記配線溝の底部に少なくとも接続するもので前記第1の有機絶縁膜から前記第1の絶縁膜にわたって形成された接続孔を備えた 半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/312 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/302 104 H ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 M
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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