シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044634
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322490
特許番号：特許第3614019号
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに急速加熱・急速冷却装置により熱処理を加えることによって、ウエーハ表面の酸素および窒素を外方拡散させることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

IPC (1件)：