特許
J-GLOBAL ID：201103066636510798

反応チャンバ及びこれを用いた誘電膜の形成方法

発明者：
元 皙俊

元 皙俊 について

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朴 泳旭

朴 泳旭 について

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▲形▼ 庸宇

▲形▼ 庸宇 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188982
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077397
特許番号：特許第4188502号
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 天井にシャワーヘッドが備えられ、底上の前記シャワーヘッドの下に半導体基板がローディングされる半導体基板装着台が備えられ、前記半導体基板上に誘電膜を形成する反応チャンバにおいて、 前記シャワーヘッドに第1ガス供給ライン及び第2ガス供給ラインが連結されており、前記第1ガス供給ラインは前記誘電膜のソースガスが供給されるラインであり、前記第2ガス供給ラインは前記誘電膜の反応ガスO2及び前記誘電膜のアニールガスO3が供給される少なくとも二種のガス供給に共同で使用されるラインで、 前記第1及び第2ガス供給ラインは前記シャワーヘッドの相異なる位置に連結され、 前記第2ガス供給ラインにオゾン発生器が並列に連結され、 前記底の下にオゾン分解器が設けられ、 前記オゾン分解器と前記底との間にポンピングラインが連結され、前記オゾン分解器にポンプが連結され、前記ポンピングラインと前記ポンプとの間に前記オゾン分解器を迂回する第2のポンピングラインがさらに備えられていることを特徴とする反応チャンバ。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • 誘電体薄膜のMOCVD方法およびアニール方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-338225   出願人：ソニー株式会社
  • CVD薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319842   出願人：大阪瓦斯株式会社
  • オゾン分解器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241778   出願人：株式会社島津製作所
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審査官引用 (16件)
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