特許
J-GLOBAL ID：201103069594051223
発光素子用積層構造体、発光素子、ランプ及び光源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233428
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046120
特許番号：特許第3557571号
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】単結晶の基板と、基板上に積層された緩衝層と、緩衝層上に積層された硼素(B)を含むIII-V族化合物半導体(含硼素III-V族化合物半導体)からなる障壁(barrier)層と、ガリウム(Ga)を含むIII-V族化合物半導体(含ガリウムIII-V族化合物半導体)からなる発光層とを備えている発光素子用積層構造体であって、障壁層を、上記の緩衝層に対向する表面で緩衝層に格子整合する硼素組成比を有し、上記の発光層に対向する表面で発光層に格子整合する硼素組成比を有する、層厚の増加方向に硼素組成比に勾配を付した、室温での禁止帯幅を3.0±0.2eVとする単量体のリン化硼素を基材とした含硼素III-V族化合物半導体からなる組成勾配層から構成したことを特徴とする発光素子用積層構造体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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