特許
J-GLOBAL ID：201103071134746910
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098020
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174380
特許番号：特許第3659056号
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 異種基板上に、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、 前記異種基板上に少なくともラテラル成長した窒化ガリウムからなる下地層を成長させ、その上に前記n型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層を順に成長させることで前記異種基板上に形成される前記下地層を含めた半導体層の膜厚を10μm以上とする工程と、 前記n型窒化物半導体層表面にn電極、及び前記p型窒化物半導体層表面にp電極を形成する工程と、 前記窒化物半導体層の一部を異種基板が露出するまで格子状、電極と平行にストライプ状、又は電極と垂直にストライプ状にエッチングする工程と、 前記異種基板の裏面から研磨をする工程と、 前記エッチングした窒化物半導体レーザ素子の共振面となる面のうち少なくともレーザ出射側を前記半導体層の劈開により形成する工程とを備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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