PZT膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳瀬睦肇 , 渡部温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-173272
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029394
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室34内に配置された、基板35を載置する載置台36と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構38と、前記処理室内を加圧する加圧機構43と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構56と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたストイキオメトリなPb(Zr,Ti)O3膜であって、前記Pb(Zr,Ti)O3膜は、結晶化されており、Pb:(Zr+Ti)の元素比率が(1.05〜1):1であることを特徴とするPZT膜。

IPC (10件)：

H01L 21/314 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01L 41/22 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 41/09 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , C04B 35/49

FI (9件)：

H01L21/314 A , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01L41/22 Z , H01L27/10 444C , H01L41/08 C , H01L21/316 S , H01L21/31 E , C04B35/49 A

Fターム (45件)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA10 , 4G031CA08 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE30 , 5F045BB07 , 5F045DC63 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045EB08 , 5F045EK12 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BE10 , 5F058BF46 , 5F058BF54 , 5F058BF58 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083PR23 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (10件)

積層薄膜その製造方法および電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-131858 出願人：ティーディーケイ株式会社
強誘電体薄膜作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078588 出願人：日電アネルバ株式会社
誘電体を用いた素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243792 出願人：株式会社東芝

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