特許
J-GLOBAL ID：201103080991800457

半導体装置

発明者：
北田 瑞枝

北田 瑞枝 について

, 
九里 伸治

九里 伸治 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284604
特許番号：特許第3860705号
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電型の半導体から成る第1半導体層と、 前記第1半導体層に積層され、前記第1の導電型であって、前記第1半導体層より低不純物濃度の第2半導体層と、 前記第2半導体層表面に所定の幅と間隔を持って形成された細溝から成るトレンチ部と、 前記第1の導電型とは反対の導電型である第2導電型の半導体から成り、前記トレンチ部内に充填された半導体充填層と、 前記第2半導体層の表面と前記半導体充填層の表面に形成され、前記第2半導体層とショットキー接合を形成するショットキー金属電極と、 前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1半導体層とオーミック接合を形成するオーミック金属電極とを備えた半導体装置において、 前記半導体充填層と前記第2半導体層との間の降伏電圧BVAKが下記式、 BVAK=60×(Eg/1.1)1.5×(Nd/1016)-3/4 (BVAKの単位はVである。Ndは第2半導体層の不純物濃度を表し単位はcm-3である。Egは前記半導体材料のエネルギーバンドギャップ値を表し、単位はeVである。)であるときに、互いに隣接する前記半導体充填層間に位置する前記第2半導体層の幅Wmが、下記の(1)式及び(2)式を満足するように形成された半導体装置。 (前記幅Wmの単位はcmである。Wtは前記半導体充填層の幅を表し単位はcmである。Naは前記半導体充填層の不純物濃度を表し、単位はcm-3である。)。 (εsは前記半導体材料の比誘電率を表す。ε0は真空の誘電率を表し、8.85418×10-14F/cmである。また、qは電気素量を表し、1.60218×10-19である。また、(2)式中、n>1である)
IPC (2件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 29/48 F
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (4件)
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