特許
J-GLOBAL ID:201103082715994585
半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-251633
公開番号(公開出願番号):特開2011-124564
出願日: 2010年11月10日
公開日(公表日): 2011年06月23日
要約:
【課題】真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。【解決手段】複数のカセット台の内の1つに設置されたカセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、大気搬送室の後方に配置されたロック室と、ロック室の後方に連結された第一の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された搬送中間室と、搬送中間室の後方に連結された第二の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された少なくとも1つの真空処理室と、第二の真空搬送室の後方に連結された2つ以上の真空処理室とを備え、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の数が第二の真空搬送室に連結された真空処理室の数よりも少なく構成するか、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の使用を1つに制限するように構成した半導体被処理基板の真空処理システム及びそのシステムを用いた真空処理方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数のカセット台が前面側に配置され、前記複数のカセット台の内の1つに設置されたカセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、該大気搬送室の後方に配置され、内部に当該大気搬送室から搬送される前記ウエハを収納するロック室と、該ロック室の後方に連結され、当該ロック室から前記ウエハが搬送される第一の真空搬送室と、前記第一の真空搬送室の後方に連結された搬送中間室と、該搬送中間室の後方に連結され、当該搬送中間室から前記ウエハが搬送される第二の真空搬送室と、前記第一の真空搬送室の後方に連結され、前記第一の真空搬送室から搬送された前記ウエハを処理する少なくとも1つの真空処理室と、前記第二の真空搬送室の後方に連結され、前記第二の真空搬送室から搬送された前記ウエハを処理する2つ以上の真空処理室とを備え、
前記第一の真空搬送室に連結された真空処理室の数が前記第二の真空搬送室に連結された真空処理室の数よりも少ないことを
特徴とした半導体被処理基板の真空処理システム。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/68 A
, B65G49/07 C
Fターム (19件):
5F031CA02
, 5F031DA08
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031FA11
, 5F031FA12
, 5F031FA15
, 5F031GA02
, 5F031GA43
, 5F031GA47
, 5F031GA48
, 5F031GA49
, 5F031GA50
, 5F031MA01
, 5F031MA09
, 5F031MA21
, 5F031NA05
, 5F031NA07
, 5F031PA23
引用特許:
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