特許
J-GLOBAL ID：201103085279157051
半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060313
特許番号：特許第4062483号
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n型の半導体基板上に、460°C〜500°Cの成長温度で、n型のAlGaInP第1クラッド層と、少なくとも一層以上の(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x<1、yは略0.5)から成る発光層を有する活性層と、不純物元素としてBeが添加されたp型のAlGaInP第2クラッド層とを、MBE法により順番に積層する工程と、
該第2クラッド層上にメサ型形状の屈折率導波路を形成する工程と、
次いで、前記第2クラッド層上に、前記活性層の成長温度以上、520°C以下の成長温度で、前記屈折率導波路を埋め込むAlGaInP電流狭窄層を形成する工程と、
前記屈折率導波路および前記電流狭窄層上に、キャップ層を形成する工程とを包含し、
前記電流狭窄層を形成する工程は、第1成長室において、前記屈折率導波路が形成された前記半導体基板にPを照射しつつ、該第1成長室の温度を常温である待機温度から前記電流狭窄層の成長温度にまで昇温して、該成長温度で前記電流狭窄層を成長させた後に、前記半導体基板にPを照射しつつ、該第1成長室の温度を前記電流狭窄層の成長温度から前記待機温度にまで降温させることを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (12件)
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