特許
J-GLOBAL ID:201103087829477060
回路デバイスとその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 朝日 伸光
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-160696
公開番号(公開出願番号):特開2000-036584
特許番号:特許第3655497号
出願日: 1999年06月08日
公開日(公表日): 2000年02月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 回路デバイスであって、 0.1mmを越える厚さと、10kΩ-cm以上の抵抗率とを有する多結晶シリコンから成る基板と、 該基板に直接に接合され、15μmよりもうすい厚さを有する単結晶の半導体の薄い層と、 該単結晶の半導体の層上に形成される、少なくとも1つのインダクタを含む集積回路と、を含むことを特徴とする回路デバイス。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)