特許
J-GLOBAL ID：201203010035022348
窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-049487
公開番号（公開出願番号）：特開2012-184144
出願日： 2011年03月07日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するGaNのa面:<11-20>面やm面:<1-100>面を主面とする基板、或いは<11-22>面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたGaN積層基板、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア下地基板10と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板10の主面に複数本形成された溝部の各側壁21から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、a面やm面などの無極性面、<11-22>面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が2×108個/cm2未満、好ましくは1.85×108個/cm2以下、特に好ましくは1.4×108個/cm2以下である窒化ガリウム結晶積層基板。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
サファイア下地基板と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板の主面に複数本形成された溝部の各側壁から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成されたものであり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が2×108個/cm2未満であることを特徴とする窒化ガリウム結晶積層基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, H01S 5/323
C30B29/38 D
, C30B25/18
, C23C16/34
, H01S5/323 610
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TC17
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB13
, 4K030CA01
, 4K030DA03
, 4K030DA09
, 4K030FA10
, 4K030JA03
, 5F173AP19
