半導体装置、及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-246992
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119672
出願日： 2011年11月11日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：

【課題】酸素過剰な酸化物半導体を再現性良く形成する方法、及び酸化物半導体中に外部から水素や水が極力混入しないデバイス構成によって信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を90%以上100%以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に下地膜を形成し、前記下地膜上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層の一部と接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層の一部と重なるようにゲート電極層を形成する工程において、前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を90%以上100%以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 619A , H01L29/78 617V , H01L29/78 617T , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M

Fターム (47件)：

5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN72 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

酸化物トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-130149 出願人：株式会社ブリヂストン
薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-154536 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-224178 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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