特許
J-GLOBAL ID：201203031606836612
GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
高島 一
, 土井 京子
, 鎌田 光宜
, 田村 弥栄子
, 山本 健二
, 村田 美由紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-176890
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258974
出願日： 2011年08月12日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたGaN系LEDを提供することを目的とする。【解決手段】n型GaN系半導体層2と、GaN系半導体からなる発光層3と、p型GaN系半導体層4とをこの順に含む積層体と、前記p型GaN系半導体層4の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層P2aと、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極P2bと、前記金属電極P2bを挟んで前記半導体電極層P2aの表面に形成された、前記半導体電極層P2aよりも低屈折率の透明絶縁膜Insと、前記透明絶縁膜Insの表面に形成された金属製の反射膜Rと、を有するGaN系発光ダイオード。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、
前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層と、
前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極と、
前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、
前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、
を有するGaN系発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01L33/00 210
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA09
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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