III族窒化物半導体の気相成長装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091388
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227231
出願日： 2011年04月15日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。【解決手段】基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉の中心部から周辺部に向かって原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有し、基板を保持する基板ホルダーが、原料ガス導入部の周囲に複数個備えられたIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成であることを特徴とするIII族窒化物半導体の気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458 , C23C 16/455 , H01L 21/683

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/68 N

Fターム (35件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030GA09 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030LA14 , 5F031CA01 , 5F031DA05 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031HA42 , 5F031HA59 , 5F031MA28 , 5F031PA11 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045BB08 , 5F045DA53 , 5F045DP13 , 5F045DP27 , 5F045EB10 , 5F045EB15 , 5F045EM02 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第4537566号公報
特開第2004-241460号公報
特開第2009-99770号公報

審査官引用 (8件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-297504 出願人：日立電線株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-269966 出願人：日立電線株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-123662 出願人：大陽日酸株式会社, 大陽日酸イー・エム・シー株式会社

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