特許
J-GLOBAL ID：201203087627643674

フォトレジスト組成物およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法

発明者：
ヤン・チョル・ペ

ヤン・チョル・ペ について

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ダヤン・ワン

ダヤン・ワン について

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トーマス・カルドレーシャ

トーマス・カルドレーシャ について

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ソクホ・カン

ソクホ・カン について

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ローズマリー・ベル

ローズマリー・ベル について


出願人/特許権者：
ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. について


代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120925
公開番号（公開出願番号）：特開2012-032782
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】ネガティブトーン現像によるフォトリソグラフィパターン形成に有用なフォトレジスト組成物の提供、及び、ネガティブトーン現像プロセスによってフォトリソグラフィパターンを形成する方法、並びに当該フォトレジスト組成物でコーティングされた基体の提供。【解決手段】下記一般式(I)の酸感受性である第1のポリマー;光酸発生剤;並びに溶媒:を含むフォトレジスト組成物。当該組成物、方法およびコーティングされた基体は半導体デバイスの製造に特に適用可能である。【選択図】図1E
請求項（抜粋）：
酸感受性である第1のポリマー; 下記一般式(I):
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/18
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/18
Fターム (43件)：
2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM23P ,  2H125AM66P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN68P ,  2H125AN73P ,  2H125BA02P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB02 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA40R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03S ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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