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J-GLOBAL ID：201302287472551967   整理番号：13A1418944

低圧金属有機気相エピタキシにより成長したSiドープAlGaNエピタキシャル層での光学的非均質性の陰極線ルミネセンス研究

Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AlGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

著者 (5件)： KURAI Satoshi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  USHIJIMA Fumitaka (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Yoichi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JL07.1-08JL07.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者は走査電子顕微鏡(SEM)と陰極線ルミネセンス(CL)の組み合わせた使用を通してAl_0.61Ga_0.39Nエピタキシャル層の巨視的な光学的非均質性に及ぼすSiドーピングの効果を研究した。AlGaNでの六方晶系ヒロックと対応するCL非均質性GAがSEMとCL画像のそれぞれで観測された。そして,そのような構造の密度はSi濃度の増加に伴って増加した。80Kで取られたSiドープAlGaNエピタキシャル層のCLスペクトルは4.9eVの近傍で近バンド端発光を,そして4.4eV近傍で発光線を示した。4.4eVの検出エネルギーでのSiドープAlGaNの単色CL像が六方晶系ヒロックの端で優先的に出現した。そして,それは粒界の欠陥中へのSi原子の優先的取り込みを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  走査電子顕微鏡 ,  *陰極線ルミネセンス ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  欠陥
準シソーラス用語： ヒロック ,  金属有機気相エピタキシー ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (16件)：

• 1) M. Feneberg, R. A. R. Leute, B. Neuschl, K. Thonke, and M. Bickermann: Phys. Rev. B 82 (2010) 075208.
• 2) Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1255.
• 3) K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1038.
• 4) Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, and H. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 095502.
• 5) Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, and H. Yoshida: Appl. Phys. Express 4 (2011) 042103.

タイトルに関連する用語 (11件)： 低圧 ,  金属有機気相エピタキシ ,  成長 ,  Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  エピタキシャル層 ,  光学 ,  非均質性 ,  陰極線ルミネセンス ,  研究