特許
J-GLOBAL ID：201303029060252803

半導体装置、モジュール、及び電子機器

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022262
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140995
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられ、かつ前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上の第1の酸化物絶縁層と、 前記第1の酸化物絶縁層上のソース電極と、 前記第1の酸化物絶縁層上のドレイン電極と、 前記第1の酸化物絶縁層上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の第2の酸化物絶縁層と、を有し、 前記ソース電極は、前記第1の酸化物絶縁層に設けられた第1の開口を介して、前記酸化物半導体層と電気的に接続されており、 前記ドレイン電極は、前記第1の酸化物絶縁層に設けられた第2の開口を介して、前記酸化物半導体層と電気的に接続されており、 前記第1の酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接する領域と、前記酸化物半導体層の周縁を覆う領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (12件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102D ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (112件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA44 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC14 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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