特許
J-GLOBAL ID：201303032885046026
マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-172387
公開番号（公開出願番号）：特開2013-082993
出願日： 2012年08月02日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
真空容器内に載置された被処理基板に対向するようにターゲットを配置し、このターゲットの背面側にマグネットを設けたマグネトロンスパッタ装置において、
前記ターゲットに電圧を印加する電源部と、
ベース体にマグネット群を配列したマグネット配列体と、
このマグネット配列体を被処理基板に対して直交する軸の周りに回転させるための回転機構と、を備え、
前記マグネット配列体は、カスプ磁界による電子のドリフトに基づいてプラズマが発生するように、マグネット群を構成する複数のN極及びS極がターゲットに対向する面に沿って互いに間隔をおいて配列され、
前記マグネット群における最外周に位置するマグネットは、電子がカスプ磁界の拘束から解放されてカスプ磁界の外に飛び出すことを阻止するようにライン状に配列され、
スパッタ時における前記ターゲットと被処理基板との距離が30mm以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/35 B
, H01L21/285 S
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA02
, 4K029BB08
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029CA13
, 4K029DC03
, 4K029DC08
, 4K029DC34
, 4K029DC40
, 4K029DC43
, 4K029DC45
, 4K029EA03
, 4K029EA09
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104DD37
, 4M104DD39
, 4M104HH20
