特許
J-GLOBAL ID：201303036127911552

薄膜製造方法、薄膜製造装置

発明者：
楊 一新

楊 一新 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278823
公開番号（公開出願番号）：特開2013-129866
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】基板への成膜の際にマスクに付着した薄膜をクリーニングし、マスクを再生させる技術を提供する。【解決手段】 真空槽21内に、放出装置24を配置し、放出装置24から有機材料の蒸気を放出させて、マスク本体の表面に犠牲層を形成してマスクを構成させ、マスク上に基板を配置し、放出装置24から薄膜の材料蒸気を放出させ、基板表面にパターニングした薄膜を形成する。このとき、マスクの表面にも薄膜が形成されるが、真空槽21に配置したレーザー光照射装置25からマスクにレーザー光を照射し、犠牲層を蒸発させ、犠牲層表面の薄膜を、マスク本体から剥離させ、マスク本体表面に新しい犠牲層を形成して、基板表面への薄膜形成に用いる。同じ真空槽内で薄膜形成とマスク再生を行うことができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
マスク本体の前面に有機薄膜から成る第一の犠牲層が形成された第一のマスクの背面に第一の基板を配置し、真空雰囲気中で、薄膜を形成するための第一の微粒子に前記第一のマスクの貫通孔を通過させ、前記第一の基板の表面に到達させて前記第一の基板の表面にパターニングされた第一の薄膜を形成した後、 前記第一のマスクに付着した前記第一の微粒子によって形成された付着膜に、真空雰囲気中でレーザー光を照射し、前記第一の犠牲層を蒸発させて前記付着膜を前記マスク本体から剥離させ、前記マスク本体の前記前面を露出させ、 前記マスク本体に犠牲層用微粒子を到達させ、前記マスク本体の前記前面に第二の犠牲層を形成して第二のマスクを構成させ、前記第二のマスクの前記背面に第二の基板を配置して、第二の微粒子に前記第二のマスクの貫通孔を通過させ、パターニングされた第二の薄膜を前記第二の基板の表面に形成する薄膜製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/24 ,  C23C 14/00 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
C23C14/24 G ,  C23C14/00 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (18件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC45 ,  3K107GG02 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  3K107GG33 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BB03 ,  4K029CA01 ,  4K029DA09 ,  4K029DB06 ,  4K029DB10 ,  4K029DB18 ,  4K029HA03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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