特許
J-GLOBAL ID：200903070229544350

半導体装置及びその製造方法

発明者：
筒井 将史

筒井 将史 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144763
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295621
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】高誘電率絶縁膜を含むゲート絶縁膜を備えた電界効果型トランジスタにおいてゲート絶縁膜におけるゲート電極の端部下に位置する部分の厚膜化を試みると、高誘電率絶縁膜が結晶化し、ゲートトンネルリーク電流の発生を抑制出来ない場合があった。【解決手段】半導体装置では、半導体基板1上にはゲート絶縁膜2が形成され、ゲート絶縁膜2上にはゲート電極3が形成されている。ゲート絶縁膜2では、ゲート絶縁膜2におけるゲート電極3の両端部下に位置する厚膜部分2aの膜厚は、ゲート絶縁膜2におけるゲート電極3の中央部下に位置する中央部分2bの膜厚よりも厚い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成され、高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備え、 前記ゲート絶縁膜における前記ゲート電極の両端部下に位置する厚膜部分の膜厚は、前記ゲート絶縁膜における前記ゲート電極の中央部下に位置する中央部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42
FI (9件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 A ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M ,  H01L21/318 B ,  C23C16/42
Fターム (123件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF37 ,  5F058BF73 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE11 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF19 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF29 ,  5F140BF34 ,  5F140BF42 ,  5F140BG10 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG50 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH05 ,  5F140BH14 ,  5F140BH36 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK25 ,  5F140BK35 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (17件)
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