特許
J-GLOBAL ID：201303056728462500

半導体デバイスの製造方法

発明者：
河原 弘幸

河原 弘幸 について

, 
岸本 一誠

岸本 一誠 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093200
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222804
出願日： 2012年04月16日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】半導体デバイスの特性や信頼性の低下を防止できる半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板に半導体層を形成する工程と、SiとClを分子構造に含むガスを用いて該半導体層の一部をエッチングしつつ該エッチングで生じたSi系反応生成物で該半導体層を覆うエッチング工程と、該エッチング工程の後に該基板をMOCVD装置のチャンバ30内に搬送する工程を有する。そして、該チャンバ内で該Si系反応生成物を除去する除去工程と、該除去工程の後に該チャンバ内で該半導体層に対して結晶成長を行う結晶成長工程とを有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板に半導体層を形成する工程と、 SiとClを分子構造に含むガスを用いて、前記半導体層の一部をエッチングしつつ前記エッチングで生じたSi系反応生成物で前記半導体層を覆うエッチング工程と、 前記エッチング工程の後に、前記基板をMOCVD装置のチャンバ内に搬送する工程と、 前記チャンバ内で前記Si系反応生成物を除去する除去工程と、 前記除去工程の後に、前記チャンバ内で前記半導体層に対して結晶成長を行う結晶成長工程とを備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/227
FI (5件)：
H01L21/302 102 ,  H01S5/323 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/205 ,  H01S5/227
Fターム (19件)：
5F004BA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA13 ,  5F004FA08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB12 ,  5F045CA12 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03 ,  5F173AA26 ,  5F173AH30 ,  5F173AP06 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AR87
引用特許：
審査官引用 (8件)
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